为推进大型仪器开放共享，充分发挥其对创新科学研究和人才培养的支撑作用，电镜中心拟开展场发射聚焦离子束电子显微镜专项培训。具体安排如下：
一、培训设备：FEI Helios G4 UX 场发射聚焦离子束电子显微镜（FIB）
二、培训内容：FIB基础理论、操作规范及使用流程
三、培训时间：2026年10月15日 9:30——16:30
四、培训地点：闵行校区电镜中心（生科辅楼）
五、培训形式：集中培训、上机操作与单独考核相结合
六、考核方式
学员须在此次培训结束后两个月内完成不少于20小时上机练习，并通过理论汇报及上机实操考核，方可取得独立操作资格。
七、报名条件与方式
1. 限额15人，每课题组限报2人，额满为止；
2. 拟报名学员须经导师同意，于2026年10月13日17点前将签字版
华东师范大学电镜中心开放仪器安全责任书.docx（一式三份）发送至btliu@mail.ecnu.edu.cn，邮件主题请注明“FIB 2026培训报名+姓名+学院+导师+联系方式”，纸质版培训时交至相关老师。
八、其他说明
具体培训时间将通过培训群另行通知。如二维码过期，请加微信L15036865659。
电镜中心
2026年9月30日
设备简介：
聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器，液相金属离子源,金属材质为镓(Gallium, Ga)可以进行材料沉积和化学增强刻蚀，通过注入特殊的化学气体，离子束可以沉积一些材料形成亚微米的结构，气体化学系统结合离子束可以形成化学刻蚀来进行选择性切割。高能聚焦离子束轰击样品时，其动能会传递给样品中的原子分子，产生溅射效应，从而达到不断蚀刻，即切割样品的效果。其切割定位精度能达到纳米级别，具有超高的切割精度。
可满足多种制样需求，例如：透射电镜样品制备、离子注入、离子束沉积薄膜、离子束蚀刻等。在FIB-SEM双束系统中，聚焦离子束和电子束优势互补。离子束成型衬度大，但存在损伤样品和分辨率低的缺点，电子束激发的二次电子成像分辨率高、对样品损伤小，但衬度较低，两者组合可获得更清晰准确的样品表面信息目前5nm的加工精度、无污染和不损伤样品在样品加工方面存在这巨大优势，是其他样品制备设备无法达到的水平。