为推进大型仪器开放共享,提高设备使用效率,电镜中心现组织开展场发射聚焦离子束电子显微镜专项培训。具体安排如下:
一、培训设备
FEI Helios G4 UX 场发射聚焦离子束电子显微镜(FIB)
二、培训内容
FIB基础理论、操作规范及使用流程
三、培训形式
集中培训、上机操作与单独考核相结合
四、培训费用
· 此次培训费每人200元(按时完成练习机时并通过考核者,可予减免);
· 后期上机练习按优惠机时费收取。
五、考核要求
学员须在此次培训结束后两个月内完成不少于20小时上机练习,并通过理论汇报及上机实操考核,方可取得独立操作资格。
六、报名要求
1. 拟报名学员须经导师同意,于2025年10月10日前将签字版华东师范大学电镜中心开放仪器安全责任书.docx(一式三份)扫描件发送至51254700085@stu.ecnu.edu.cn,邮件主题请注明“场发射聚焦离子束电子显微镜培训报名+姓名+学院+联系方式”,纸质版交至电镜中心123办公室。
2. 限报15人,每课题组限报2人,报满为止;
七、其他事项
具体培训时间将通过培训群另行通知。
电镜中心
2025年9月24日
设备简介:
聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器,液相金属离子源,金属材质为镓(Gallium, Ga)可以进行材料沉积和化学增强刻蚀,通过注入特殊的化学气体,离子束可以沉积一些材料形成亚微米的结构,气体化学系统结合离子束可以形成化学刻蚀来进行选择性切割。高能聚焦离子束轰击样品时,其动能会传递给样品中的原子分子,产生溅射效应,从而达到不断蚀刻,即切割样品的效果。其切割定位精度能达到纳米级别,具有超高的切割精度。
可满足多种制样需求,例如:透射电镜样品制备、离子注入、离子束沉积薄膜、离子束蚀刻等。在FIB-SEM双束系统中,聚焦离子束和电子束优势互补。离子束成型衬度大,但存在损伤样品和分辨率低的缺点,电子束激发的二次电子成像分辨率高、对样品损伤小,但衬度较低,两者组合可获得更清晰准确的样品表面信息目前5nm的加工精度、无污染和不损伤样品在样品加工方面存在这巨大优势,是其他样品制备设备无法达到的水平。